华虹半导体申请具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET专利，提高器件可靠性
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET及其制造方法”的专利，公开号CN121357928A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请提供一种具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET及其制造方法，其中在制造方法中，在屏蔽栅上的隔离介质层表面以及沟槽上半部分侧壁上形成TEOS层，然后进行热退火处理，接着通过湿法刻蚀工艺去除沟槽侧壁上的TEOS层和隔离介质层上靠近沟槽中间的TEOS层，以使未被刻蚀的沟槽侧壁附近的TEOS层呈内凹弧形，从而在沟槽侧壁侧构成弧形拐角，最后在弧形拐角和隔离介质层上形成第二栅氧化层和栅极。本申请通过在隔离介质层上的沟槽侧壁侧形成弧形拐角的TEOS层，可以有效改善栅极底部拐角位置的介质层厚度，从而避免了零栅压漏极电流IDSS漏电导致栅极底部高压击穿的问题，改善了器件的电性能，提高了器件的可靠性。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1969条，此外企业还拥有行政许可117个。
华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目376次，专利信息160条，此外企业还拥有行政许可229个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯