晋华集成电路申请半导体器件专利，改善栅极结构顶部缺陷避免短路_电池资讯

晋华集成电路申请半导体器件专利，改善栅极结构顶部缺陷避免短路

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2026-01-23 13:43:19

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国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体器件”的专利，公开号CN121398008A，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，本发明公开了半导体器件，包括衬底、栅极结构、多个绝缘间隔、多个第一焊盘、绝缘层、以及高介电常数材料层。绝缘间隔与栅极结构交替地设置在衬底上。第一焊盘设置在绝缘间隔上。绝缘层覆盖在绝缘间隔与栅极结构上，其中，覆盖在栅极结构上的绝缘层具有凹陷。高介电常数材料层设置在凹陷内，且高介电常数材料层的最底面低于第一焊盘的最顶面。如此，借助高介电常数材料层及/或绝缘层的设置改善栅极结构顶部的结构缺陷，避免其与上方设置的金属互连线之间衍生可能的短路问题。

天眼查资料显示，福建省晋华集成电路有限公司，成立于2016年，位于泉州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3447733.068816万人民币。通过天眼查大数据分析，福建省晋华集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目561次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息992条，此外企业还拥有行政许可77个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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