华为申请晶体管及其制备方法专利，降低晶体管的寄生电阻
创始人
2026-03-18 03:30:22
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国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“晶体管及其制备方法、存储阵列、存储器和电子设备”的专利，公开号CN121692717A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种晶体管及其制备方法、存储阵列、存储器和电子设备，涉及半导体技术领域，用于在降低晶体管的寄生电阻的同时，保证晶体管的栅极控制能力。该晶体管包括衬底、第一电极、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、栅介质层、辅助电极、沟道结构和第二电极。辅助电极位于第一电极远离衬底的一侧。辅助电极包括第一子部和第二子部。第二子部位于第一子部远离衬底的一侧。第一子部位于栅介质层与第一电极之间，第二子部远离衬底的表面到衬底的距离，大于第一绝缘层靠近衬底的表面到衬底的距离。辅助电极的材料包括结晶的氧化物半导体或结晶的氧化物导体。上述晶体管应用至电子设备中，以提高电子设备的性能。
天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了51家企业，参与招投标项目42035次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1712个。
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来源：市场资讯
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