晶镓半导体申请基于AlN衬底的紫外发光二极管V型坑开槽方法专利，提高了出光效率
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2026-03-21 12:30:52
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国家知识产权局信息显示，山东晶镓半导体有限公司申请一项名为“一种基于AlN衬底的紫外发光二极管V型坑开槽方法”的专利，公开号CN121712160A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明属于光电技术领域，具体涉及一种基于AlN衬底的紫外发光二极管V型坑开槽方法。本发明通过采用PVT生长炉优先对AlN衬底进行开口处理，再对该衬底进行外延相应Buffer层，N‑GaN以及量子阱等；本发明的方法可以在PVT炉膛内高温循环退火的方式在AlN表面制备出较为均匀的V型坑。采用该结构进行紫外LED生长，衬底在高温下的开口没有影响到后续外延层的生长，同时V坑的形成降低了晶体内部的应力，提高了出光效率，同时AlN衬底与外延层的晶格失配较小，提高了外延层的质量。
天眼查资料显示，山东晶镓半导体有限公司，成立于2023年，位于济南市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1752.8225万人民币。通过天眼查大数据分析，山东晶镓半导体有限公司参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息16条，此外企业还拥有行政许可5个。
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来源：市场资讯
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