01 产业链全景图

02 【存储芯片】两大概念

02-1、DRAM 概述

DRAM 本质是 CPU、GPU 运行时的高速临时存储空间，属于断电就清空数据的存储类型。它和各类核心计算芯片直接连通，专门承接每秒海量运算产生的中间数据，承担即时调取、快速读写的中转作用，是芯片算力运转必备的高速缓冲载体。

DRAM 内部架构划分成三大核心模块，整体可以比作一套分工明确、运转高效的专业数据处理车间：

市场规模

行业机构 TrendForce 统计数据显示，2024 年全球 DRAM 市场规模达到 958.63 亿美元，同比大幅增长 84.83%。原本长期低迷的存储赛道彻底走出低谷，行业行情迎来强势复苏，整体进入快速上行通道。

据 SemiAnalysis 预测，当前服务器 DRAM 占 DRAM 终端市场总量的 40%。未来几年，服务器在 DRAM 市场的重要性将持续提升，已被存储厂商列为优先级高于其他类别的核心业务。

竞争格局

全球 DRAM 行业呈现高度集中的寡头垄断格局。依据行业监测机构数据，2024 年三星、SK 海力士、美光三家企业合计占据 97.49% 的市场份额，形成稳固的三足鼎立态势，几乎掌控了整个行业的供给规模和定价话语权。

全球存储巨头正全力冲刺 DRAM 技术升级。

三星率先量产第六代 10nm 级 DRAM，同时送出 HBM4 样品，敲定 2026 年正式量产，稳居行业技术领跑位置；美光推出首款 1γ 工艺内存样品，为旗舰机型的 AI 性能筑牢硬件基础。

国产厂商同样实现关键突破，长鑫存储多款高速内存通过国际权威认证，有力支撑消费电子与服务器的性能升级；华邦电子自研 16nm DRAM 芯片，精准适配工业及嵌入式设备场景需求。

发展方向-HBM

AI 快速发展催生海量算力需求，大模型运算负荷大幅飙升。传统数据传输带宽，再加上占用 GPU 超六成面积的内置缓存，已经严重限制了 GPU 性能发挥。

HBM 依托 3D 堆叠和硅通孔工艺打造高端内存，具备高带宽、低延迟的特质，有效降低数据传输损耗，打破了芯片算力的发展瓶颈。

HBM 是存储行业高增长赛道，2024 年市场规模 56.1 亿美元，预计 2034 年增至 570.9 亿美元，十年年均增速达 26.1%。

这项技术壁垒极高，仅有三星、SK 海力士、美光实现稳定量产。其中 SK 海力士领跑行业，抢先落地 HBM3E 并研发下一代产品，2025 年二季度市占率 62%，美光、三星分别为 21%、17%。

2023-2024 年，海力士等存储厂商持续缩减传统存储芯片产能，减产主要针对低利润、高库存的产品，将持续至库存与价格回升至盈利水平。

行业同时将产能重心向 HBM、DDR5 等高端产品转移，传统存储芯片产量将持续下降，整体产能提升受限。

HBM 等高端产品对晶圆的消耗远高于传统产品， 受复杂工艺和更大裸片尺寸影响，生产 1 颗 HBM 芯片，约需消耗 3 颗同容量标准 DRAM 的晶圆产能。

据 SemiAnalysis 预测，到 2027 年底，仅 HBM 的需求就将占 DRAM 总需求的 10% 以上。

SK 海力士判断，2024 年行业整体库存将平稳下滑，年底降至低位：DRAM 库存预计上半年回归正常水平，NAND 库存则在下半年回归正常。由于 2024 年产能提升集中在高端产品，客户对传统存储芯片的需求近期开始回升，正在补充中低端产品库存。

02-2、存储：NAND Flash

NAND Flash 属于断电也能留存数据的永久性存储器，靠电荷存储实现数据读写。和 DRAM 这类仅做临时数据记录的芯片不同，它兼具大容量、低成本的天然优势，是长久存储数据的核心载体。

全球 NAND Flash 行业近两年快速扩张，2023 年市场规模 387.3 亿美元，2024 年增至 656.4 亿美元。2024 年行业格局高度集中，头部五家企业垄断主流市场，其中三星以 35.7% 份额稳居第一，SK 集团、铠侠、美光、闪迪瓜分其余主要份额。

全球存储企业都在加速技术迭代，海外大厂持续突破堆叠层数与芯片容量，新品性能和能效实现跨越式升级。长江存储、江波龙、佰维存储等国内企业，则从底层架构和细分应用场景切入，稳步推进国产闪存产业突破。

02-3、价格波动

受产能向高端产品倾斜的影响，DRAM 合约价在 2025 年第三季度同比暴涨 172%，部分标准 DRAM 和 NAND 现货价格，2025 年 9 月至 2026 年 2 月累计涨幅甚至超过 300%。

TrendForce 大幅上调了 2026 年一季度传统 DRAM 合约价涨幅预测，从原先的 55-60% 修正为 90-95%。 背后的核心原因是 AI 与数据中心需求持续升温，加剧了全球存储供需失衡，原厂议价能力显著增强。

03 国际龙头公司-最新进展（重点）

03-1、三星--最新进展

作为存储芯片的龙头厂商，三星正大幅加码 DRAM 产能，计划到 2026 年底，将 1c DRAM 月产能扩至 20 万片晶圆，新增产能占当前月产能（65-70 万片）的近三分之一，规模远超 2022 年的扩产水平。

扩产将通过现有产线工艺升级，加上平泽 P4 工厂的新投资实现。 P4 是本次扩产的核心载体，将大规模生产 10nm 级 1c DRAM 和 HBM4，部分原用于 NAND 的产线也将转产 DRAM，工厂产能爬坡进度已提前，对产量的实质贡献预计 2027 年上半年落地。

三星的中长期产能布局，核心是平泽 P5 工厂，总投资超 60 万亿韩元，设计月产能 30 万片晶圆，2028 年投产后将成为下一代 HBM 与 1c DRAM 的核心生产基地，规模远超现有工厂。

同时，三星正通过工艺升级 “提效扩产”：其 1c DRAM 工艺相比旧节点，单晶圆的比特输出量提升约 70%，在不新增产能的前提下，大幅拉高存储供应量。

此外， 三星计划在龙仁半导体集群投资 360 万亿韩元，到 2031 年建成 6 座晶圆厂，加上平泽工厂的扩建，最终将拥有 12 座晶圆厂投入运营。

03-2、SK 海力士

SK 海力士是全球顶尖半导体存储供应商，核心产品覆盖 DRAM、NAND Flash、HBM 等品类。

SK 海力士 2023 年第四季度实现营收 11.31 万亿韩元，环比增长 25%、同比提升 47%；营业利润 0.35 万亿韩元，成功扭亏为盈，而上一季度与上年同期分别亏损 1.79 万亿、1.91 万亿韩元。

最新进展（重点）

SK海力士正将全部资源压向两条主线：先进制程DRAM和HBM，其技术壁垒高，利润也厚。

它的核心阵地是龙仁巨型工厂集群。这座“超级工厂”的洁净室面积比三星平泽P5工厂还大30%。完全投产后，每月能处理约40万片晶圆，相当于一条生产线顶别人两条。整个集群分四座巨型晶圆厂， 远期总投资预估约600万亿韩元（约4080亿美元）。

产能目标一路上调。2025年初，海力士计划到2027年初每月生产9万片1cDRAM晶圆；同年8月上调至12.2万片； 10月再调至15万片。最新目标：2027年初冲到17-20万片，两年多翻一倍以上。

投产节奏也在提速。龙仁Y1工厂第1阶段洁净室从原定的2027年5月提前至2月开启，第2阶段同样提前至2027年投产，原计划为2028年； 第3阶段也从2029年提前到2028年。同时，公司近期将龙仁集群的洁净室面积较原计划扩大了50%，投资额相应增加。

设备端同样重注：2026年3月， 海力士宣布向阿斯麦采购80亿美元（近30台）EUV光刻机，两年内交付。这些设备主要用于1c纳米及后续1d纳米DRAM量产，为HBM4E铺路。 此外，清州M15X工厂第二洁净室已于2026年3月提前两个月投产，全力支持HBM产能。

简单说，海力士正在打一场算好的仗：把最先进的制程、最大的产能、最贵的设备，全部赌在高性能内存这条赛道上。 逻辑很直白：AI时代，算力永缺，内存永远不会过剩。

04 【存储芯片】核心龙头