普赛微科技申请基于金属夺氧机制形成的二维材料晶体管及其制备方法专利，显著降低接触电阻_电池资讯

普赛微科技申请基于金属夺氧机制形成的二维材料晶体管及其制备方法专利，显著降低接触电阻

创始人

2026-08-15 09:23:46

0次

国家知识产权局信息显示，普赛微科技（杭州）有限公司申请一项名为“基于金属夺氧机制形成的二维材料晶体管及其制备方法”的专利，公开号CN122579653A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于金属夺氧机制形成的二维材料晶体管及其制备方法。该晶体管包括衬底、二维半导体材料层、仅设置于源/漏接触区的氧化物结构层以及源漏金属电极；氧化物结构层包括第一金属氧化物上层和由表面氧化层原位还原形成的低价态过渡金属氧化物下层。制备时，对源/漏区选择性氧化形成表面氧化层，再全局沉积夺氧金属，利用夺氧金属夺取表面氧化层中的氧原子，生成第一金属氧化物并还原出低价态过渡金属氧化物，然后去除沟道区未反应的夺氧金属，最后形成源漏金属电极。本发明通过金属夺氧方法原位构建低接触电阻界面，避免损伤二维材料晶格，显著降低接触电阻，工艺可控，适用于多种二维材料及柔性衬底。

天眼查资料显示，普赛微科技（杭州）有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本281.25万人民币。通过天眼查大数据分析，普赛微科技（杭州）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息29条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法机制投资普赛微金属夺材料氧化物杭州晶体管专利普赛夺氧微科技金属

上一篇：潍坊信佳信息科技取得防脱汽车传感器专利，有效防止传感器脱落提高安装稳定性

下一篇：丹阳市富屋电子申请铝电解电容器结构的高性能超级电容器专利，提高安装便捷性

普赛微科技申请基于金属夺氧机制形成的二维材料晶体管及其制备方法专利，显著降低接触电阻

相关内容

热门资讯