旺宏电子申请半导体装置及其制作方法专利，保护层的电阻值高于导电层的电阻值
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2026-08-17 16:19:16
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国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制作方法”的专利，公开号CN122579891A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体装置及其制作方法。所述半导体装置包括一底板以及一堆叠。堆叠沿着第一方向设置于底板上。堆叠包括多个绝缘层及多个导电层，绝缘层及导电层沿着第一方向交替堆叠于底板上。导电柱沿着第一方向延伸，穿过至少一部分的堆叠。保护层沿着第一方向延伸，环绕导电柱且设置于导电柱与导电层之间。保护层的电阻值高于导电层的电阻值。存储层环绕保护层，且设置于保护层与导电层之间。
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