兆驰半导体申请发光二极管芯片及其制备方法专利，解决激光剥离后晶圆翘曲导致光刻对位偏差问题
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2026-08-20 13:25:16
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国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种发光二极管芯片及其制备方法”的专利，公开号CN122602702A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，一种发光二极管芯片及其制备方法，该发光二极管芯片的制备方法包括：提供蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上依次沉积N型GaN层、有源发光层和P型GaN层，以于衬底上形成第一外延层；在第一外延层上对部分P型GaN层进行刻蚀，直至暴露出N型GaN层，以于第一外延层上形成N型GaN层导电台阶，并于衬底上形成第二外延层；在第二外延层上对部分P型GaN层进行刻蚀，以形成沟槽，沟槽延伸至N型GaN层内，沟槽将外延层分割为主体发光部和隔离道部，并形成第三外延层。本发明旨在解决现有技术中，因激光剥离后晶圆翘曲导致光刻对位偏差，从而影响隔离道形成精度和芯片良率的技术问题。
天眼查资料显示，江西兆驰半导体有限公司，成立于2017年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本160000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西兆驰半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息1721条，此外企业还拥有行政许可62个。
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来源：市场资讯
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