拓荆科技申请清洁阀系统及半导体薄膜沉积设备专利，缩小双腔清洁速率偏差
创始人
2026-09-05 11:56:14
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国家知识产权局信息显示，拓荆科技（上海）有限公司申请一项名为“一种清洁阀系统及半导体薄膜沉积设备”的专利，公开号CN122688406A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种清洁阀系统及半导体薄膜沉积设备，清洁阀系统包括气源分配单元、清洁输送支路组、流量控制阀组及处理腔组；处理腔组包括两个对称处理腔，清洁输送支路组包括两条独立输送支路，流量控制阀组包括两个独立流量调节阀；气源分配单元连通两条输送支路的进气端，两个流量调节阀一一对应安装于支路上，支路出气端分别连通两个处理腔的底部进气端。现有双处理腔底部清洁采用单气源公共分流结构，受流阻差异与气路窜流影响，两侧清洁速率偏差较大，无法独立调控单腔清洁流量。本发明通过双独立气路消除窜流干扰，可独立调节单腔清洁流量以补偿流阻差异，实现双侧底部清洁速率控制，缩小双腔清洁速率偏差，提升工艺一致性。
天眼查资料显示，拓荆科技（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本143253.79万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆科技（上海）有限公司参与招投标项目49次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息446条，此外企业还拥有行政许可40个。
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来源：市场资讯
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