旺荣半导体申请快恢复二极管及其制备方法和应用专利，有效降低器件反向恢复所需时间
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2025-07-21 12:38:20
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金融界2025年7月21日消息，国家知识产权局信息显示，浙江旺荣半导体有限公司申请一项名为“快恢复二极管及其制备方法和应用”的专利，公开号CN120343929A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请公开了快恢复二极管及其制备方法和应用。该快恢复二极管包括衬底、第一外延层、第二外延层、氧化层、第一电极和第二电极。第二外延层位于第一外延层远离衬底的一侧，第二外延层在远离第一外延层的一侧设有槽状的第二型掺杂离子注入区，第二型掺杂离子注入区中的内侧壁具有更高的第二型掺杂浓度。氧化层具有用于限定出第二型掺杂离子注入区的空隙。当器件在工作电流附近时，电流在第二型掺杂离子注入区中掺杂浓度较低的槽状结构的外侧通道流动，实现了低注入效率，降低了快恢复二极管在工作电流下的反向过冲电流，最终能够有效降低器件反向恢复所需要的时间。
天眼查资料显示，浙江旺荣半导体有限公司，成立于2021年，位于丽水市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本86666.67万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江旺荣半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目8次，专利信息5条，此外企业还拥有行政许可20个。
来源：金融界
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