英特尔申请垂直嵌入的预形成的深沟槽电容器模块专利，本文公开了垂直嵌入的预形成的深沟槽电容器模块
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2025-06-18 13:37:57
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金融界2025年6月18日消息，国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“垂直嵌入的预形成的深沟槽电容器模块”的专利，公开号CN120166717A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本文公开了垂直嵌入的预形成的深沟槽电容器模块。描述了与封装基板嵌入式电容器相关的设备、电容器模块、组件和技术。通过沿一个或多个基板的表面制作电容器结构、从一个或多个基板切割出电容器结构、并且将所得电容器结构和基板堆叠成电容器模块，来形成电容器模块。电容器模块然后垂直地嵌入在封装基板或芯中。
来源：金融界
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