威兆半导体申请氮化镓功率器件及其制备方法专利，优化器件功耗及提高器件可靠性_电池问答

威兆半导体申请氮化镓功率器件及其制备方法专利，优化器件功耗及提高器件可靠性

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2025-07-28 11:13:15

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金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市威兆半导体股份有限公司申请一项名为“氮化镓功率器件及其制备方法”的专利，公开号CN120379296A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，公开了一种氮化镓功率器件及其制备方法，包括：在P+衬底上生长形成氮化镓外延结构层；在氮化镓外延结构层上生长形成P型氮化镓层；在P型氮化镓层上形成P型氮化镓栅极区；在设定气体环境下对P型氮化镓栅极区进行钝化处理，形成功能高阻区，功能高阻区分布在P型氮化镓栅极区的侧壁上，以及部分的与侧壁相连的P型氮化镓栅极区的顶面上；在氮化镓外延结构层上沉积形成第一欧姆接触金属层和第二欧姆接触金属层；在氮化镓外延结构层上沉积形成钝化介质层，刻蚀P型氮化镓栅极区上的钝化介质层后，在P型氮化镓栅极区上沉积形成栅极金属层。

天眼查资料显示，深圳市威兆半导体股份有限公司，成立于2012年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本6188万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市威兆半导体股份有限公司共对外投资了5家企业，财产线索方面有商标信息32条，专利信息120条，此外企业还拥有行政许可20个。

来源：金融界

企业方法显示栅极功率信息器件导体威兆专利高阻区 P型氮化镓栅极区

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