重庆芯联微电子申请一种 MOS 管的侧墙形成方法专利,避免 MOS 管栅极侧墙过刻蚀
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2025-07-29 16:41:38
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金融界 2025 年 7 月 29 日消息,国家知识产权局信息显示,重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种 MOS 管的侧墙形成方法”的专利,公开号 CN120390441A,申请日期为 2025 年 03 月。

专利摘要显示,本发明公开了一种 MOS 管的侧墙形成方法,属于半导体技术领域,该 MOS 管的侧墙形成方法,包括提供衬底,所述衬底表面形成有若干个栅极,用于构成 MOS 管;在所述栅极的侧壁形成第一侧墙,并在所述第一侧墙的外侧设置刻蚀缓冲层,继续在所述刻蚀缓冲层外形成第二侧墙,所述第一侧墙和所述第二侧墙均为氮化硅,所述刻蚀缓冲层通过钝化所述第一侧墙形成;回刻蚀 NMOS 管栅极的第二侧墙,直至所述 NMOS 管栅极侧壁的膜层具有所需厚度,其中,所述氮化硅和所述刻蚀缓冲层的刻蚀选择比大于 1。通过在两层氮化硅之间设置刻蚀缓冲层,利用刻蚀缓冲层和氮化硅之间刻蚀速率的差异进行选择性刻蚀,避免 MOS 管栅极侧墙过刻蚀。

天眼查资料显示,重庆芯联微电子有限公司,成立于2023年,位于重庆市,是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析,重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目720次,专利信息146条,此外企业还拥有行政许可12个。

来源:金融界

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