南亚科技申请半导体装置及其制造方法专利，可防止击穿气隙
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2025-08-01 13:14:01
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金融界2025年8月1日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN120417375A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，一种半导体装置的制造方法包括在基板上形成位元线结构，沿着位元线结构的侧壁形成间隔物，其中每个间隔物包括气隙(air gap)。方法进一步包括在位元线结构之间和上方形成导电结构，其中导电结构暴露部分位元线结构。方法进一步包括在导电结构和位元线结构之间形成隔离结构，隔离结构经植入以形成植入隔离结构，在植入隔离结构和导电结构上方形成支撑层，以及在导电结构和植入隔离结构上方形成电容结构。植入隔离结构具有较高的蚀刻抗性，当电容结构的形成对不准时，可防止击穿气隙。此外，电容结构中的底部电极层的底表面的宽度可放大，使得改善电容结构和导电结构之间的接触电阻。

来源：金融界

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