中微半导体申请高性能参考电压实现方法与电路专利，实现低至1V的工作电源电压
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2025-08-02 19:11:37
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金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体（深圳）股份有限公司申请一项名为“一种高性能参考电压实现方法与电路”的专利，公开号CN120406642A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明公开了一种高性能参考电压实现方法与电路，该方法包括：构建适配低电源电压的架构，选用常规CMOS工艺器件确定初始工作参数。设计低参考电压值生成模块，运用亚阈值区低压NMOS器件搭配电流镜与电阻网络输出精准低电压，并抑制干扰。实施一阶、二阶温度补偿，分别利用不同温度特性器件及高温时特定NMOS漏电特性，提升参考电压温度稳定性。设计超低功耗OP，采用低压NMOS和高压native器件组合并优化偏置电路。电路集成低参考电压及一阶温度补偿、二阶温度补偿、超低功耗OP等模块。最终实现低至1V的工作电源电压、小于100nA的功耗、卓越的全温范围二阶温度补偿效果，为相关电路提供稳定精准参考电压。
天眼查资料显示，中微半导体（深圳）股份有限公司，成立于2001年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本40036.5万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体（深圳）股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目74次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息59条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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