大幅简化PCB走线设计,万国半导体推出栅极中置布局25V MOSFET
创始人
2025-06-25 00:38:26
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前言

近期,AOS万国半导体推出新款25V MOSFET,实际型号为AONK40202。该芯片采用 DFN3.3×3.3源极朝下封装技术,专为满足AI服务器和数据中心电源系统在高功率密度DC-DC 应用方面的高电流以及高效率需求而生。

万国半导体AONK40202

AONK40202的创新源极朝下封装技术,采用DFN3.3×3.3封装,扩大了源极与PCB的接触面积,优化了散热和开关性能。同时,栅极的中置布局可简化PCB走线设计,减少了栅极驱动器连接,进一步提升了能效和系统可靠性。

AONK40202具备出色的电流处理能力,凭借带夹片的源极朝下封装技术,显著提升了系统级性能,优化了散热表现,实现了更高的功率密度和能效水平,可提供高达319A的持续电流,且最高结温可达175℃,满足数据中心高可靠性需求。

另外,与传统漏极朝下封装相比,AONK40202的封装技术在降低功率损耗和提升散热性能方面表现出色。该芯片具有更低的导阻和更高的散热性能,降低电源设计难度与设计成本,并可助力工程师优化PCB空间利用率,是应对AI服务器日益增长的功率密度需求的理想解决方案。

充电头网总结

万国半导体AONK40202其源极朝下封装技术可扩大源极与PCB接触面积,优化产品散热和性能,而栅极中置布局还可简化PCB走线设计,降低设计难度与成本,优化系统空间利用率,为AI服务器和数据中心电源系统提供DC-DC应用的高功率密度高电流和高效率解决方案。

AOS万国半导体是专注于设计、开发生产与全球销售一体的功率半导体公司,产品包括Power MOSFET、SiC、IGBT、IPM、TVS、高压驱动器、功率IC和数字电源产品等。AOS积累了丰富的知识产权和技术经验,涵盖了功率半导体行业的最新进展,使我们能够推出创新产品,满足先进电子设备日益复杂的电源需求。AOS的差异化优势在于通过其先进的分立器件和IC半导体工艺制程、产品设计及先进封装技术相结合,开发出高性能的电源管理解决方案。AOS 的产品组合主要面向高需求应用领域,包括便携式计算机、显卡、数据中心、AI 服务器、智能手机、面向消费类和工业类电机控制、电视、照明设备、汽车电子以及各类设备的电源供应。

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