混合CMOS芯片堆叠层数大幅提升
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2025-10-21 07:34:39
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钛媒体App 10月21日消息，沙特阿卜杜拉国王科技大学研究人员在微芯片设计领域创下新纪录，成功研制出全球首个面向大面积电子器件的6层堆叠式混合互补金属氧化物半导体（CMOS）芯片。此前公开报道的混合CMOS堆叠层数从未超过两层，这一突破标志着芯片集成密度与能效迈上新台阶，有助电子设备的小型化和性能提升。（科技日报）

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