爱思开海力士申请具有磁控层的半导体存储器件专利，本公开涉及具有磁控层的半导体存储器件
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2025-06-18 20:10:10
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金融界2025年6月18日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“具有磁控层的半导体存储器件”的专利，公开号CN120166710A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本公开涉及具有磁控层的半导体存储器件。一种半导体器件，包括：下互连线；设置在下互连线之上的下电极；设置在下电极之上的第一磁控层；设置在第一磁控层之上的选择元件层；设置在选择元件层之上的第二磁控层；设置在第二磁控层之上的存储元件层；设置在存储元件层之上的上电极；以及设置在上电极之上的上互连线。第一和第二磁控层中的每一个包括钴、铁、镍、钼、铝、铬、坡莫合金、超透磁合金、其氧化物，以及其氮化物中的至少一种。
来源：金融界
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