近日，研微（江苏）半导体科技有限公司（以下简称“研微半导体”）完成数亿元A轮融资，投资方包括永鑫方舟、金圆资本、合肥产投等知名投资机构。该公司成立3年已有多台设备通过Fab厂验证，募集资金将用于未来研发投入及扩充团队。

公开资料显示，研微半导体成立于2022年，总部位于无锡，主要专注于高端原子层沉积（ALD）、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）以及特色外延设备技术，涵盖热原子层沉积（tALD）、等离子体增强原子层沉积（PEALD）、硅外延（SI EPI）、碳化硅外延（SiC EPI）、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）等核心技术，产品广泛应用于高端集成电路、功率器件、射频元件及先进封装领域。

图片来源：研微半导体官网

研微半导体目前重点突破的tALD、PEALD、低压EPI等细分领域，市场份额主要由美日欧厂商占据，高端薄膜沉积设备进口受限。凭借在金属栅极、高深宽比沟槽填充等细分工艺的突破，研微半导体在最前沿半导体技术竞争中建立优势，实现国产替代。

此前11月7日，研微半导体披露，其自主研发的Spritz系列首台新材料原子层沉积（tALD）设备在无锡完成出厂交付，并同步实现“双机”发运，成功交付国内逻辑与存储芯片双领域头部企业。

图片来源：研微半导体

该设备聚焦AI算力芯片制造需求，在HKMG金属层沉积、NAND WL、DRAM bWL及SN区域薄膜填充等关键工艺实现突破，填补国内金属原子层沉积空白，凭借先进进气、混气与匀流系统显著提升薄膜均匀性和产能稳定性，助力先进制程国产化。

研微半导体自2022年10月在无锡成立以来，短短三年内已完成多轮融资：当年12月获天使轮，2023年7月再获天使+轮，2024年1月完成数亿元Pre-A轮，并于今年内连续完成三轮数亿元融资。

随着逻辑芯片制程的持续升级和3D存储芯片对多层高深宽比结构要求的不断提高，ALD技术凭借其原子层级沉积特点，具有薄膜厚度精确度高、均匀性好、极佳的台阶覆盖率（Conformal Coverage）、沟槽填充性能极佳等优势。ALD/PEALD技术在高深宽比结构（如3D NAND闪存的多层堆叠、先进逻辑芯片的接触孔）中的高保形性是传统CVD难以比拟的，特别适合在对薄膜质量和台阶覆盖率有较高要求的领域应用，在45nm以下节点、先进封装、3D结构等半导体薄膜沉积环节有大量需求。

此外，研微半导体的SiC EPI设备，瞄准的是第三代半导体功率器件市场。这一特色外延设备与高端集成电路薄膜沉积设备同为国家重点鼓励的国产替代方向。

2025年，除研微半导体外，微导纳米、拓荆科技和中微公司等企业也在高端薄膜沉积设备领域加速突破：微导纳米的ALD批量与单片设备已通过多家客户验证，在手订单超23亿元；拓荆科技完成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD全系列布局，核心指标达国际水平；中微公司LPCVD设备首台销售后半年收入达1.99亿元，同比增长约6倍，共同推进国产设备进程。

（文/集邦化合物半导体 金水 整理）

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