艾迈斯-欧司朗申请光电器件处理专利，可改变表面态密度以促成非辐射复合
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2025-12-31 23:07:53
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国家知识产权局信息显示，艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司申请一项名为“光电器件和处理光电器件的方法”的专利，公开号CN121241690A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本发明涉及光电器件，其包括台面蚀刻层堆叠，该台面蚀刻层堆叠包括以第一掺杂类型掺杂的第一层、以第二掺杂类型掺杂的第二层和布置在第一掺杂层与第二掺杂层之间的有源层，其中，有源层至少包括量子阱。有源层的台面蚀刻侧壁包括促成引入至有源层中的电荷载流子的非辐射复合的多个表面态。电极至少布置在有源层的侧壁上，该电极包括覆盖表面态的介电层、介电层上的导电材料，其中，电极被配置成当向导电材料施加电压时，改变表面态的密度，以促成非辐射复合。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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