华为申请芯片及其制备方法专利，防止栅极与源极和漏极短路问题
创始人
2026-01-01 17:36:35
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国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“芯片及其制备方法、电子设备”的专利，公开号CN121240497A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种芯片及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，利用保护层阻挡用于刻蚀牺牲层的刻蚀气体进入源极和漏极，以防止栅极与源极和漏极短路问题，以及栅极产生尖端放电问题。该芯片包括衬底、设置在衬底上的环栅晶体管，环栅晶体管包括沟道层、栅结构、源极和漏极。栅结构包括环绕沟道层的栅极，以及，用于隔离栅极与沟道层的栅介质层；源极和漏极分设于沟道层的两端。该芯片还包括介电材料和保护层，其中，介电材料设置于源极与栅结构之间，以及，漏极与栅结构之间；保护层填充于介电材料与栅结构之间；保护层的材料与介电材料、源极、漏极的材料均不相同，保护层完全覆盖介电材料的侧壁。
天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了51家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1704个。
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来源：市场资讯
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