国家知识产权局信息显示,中国电力科学研究院有限公司申请一项名为“一种树状仿生栅极结构、功率半导体芯片”的专利,公开号CN121262869A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本发明提供了一种树状仿生栅极结构、功率半导体芯片,该结构包括栅pad区域,连接有电极引线;多个连接节点,分布在元胞区域内,用于连接其周围设定范围内的元胞栅;汇流结构;以栅pad区域为根节点,以连接节点为叶子节点,以汇流结构为枝条,连接呈树状发散拓展结构;其中根节点经汇流结构到达每个连接节点的距离相同或满足设定的近似距离要求;该结构通过呈树状发散拓展的汇流结构,使多个连接节点与栅pad区域距离相同,控制信号经相同的距离到达连接节点上连接的元胞栅,各元胞栅的控制信号接收时间几乎没有延迟,提高了芯片内部并联元胞栅的开关速度一致性和电流的均匀性,适用于电力系统中的大尺寸功率半导体芯片。
天眼查资料显示,中国电力科学研究院有限公司,成立于2001年,位于北京市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本335200万人民币。通过天眼查大数据分析,中国电力科学研究院有限公司共对外投资了26家企业,参与招投标项目5000次,财产线索方面有商标信息58条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可185个。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
来源:市场资讯