上海集成电路研发中心申请一种全局曝光像元结构与图像传感器专利，不需增加MOS管就能够实现输出的有效电压增大一倍
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2025-07-01 13:09:35
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金融界2025年7月1日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“一种全局曝光像元结构与图像传感器”的专利，公开号CN120238764A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请公开了一种全局曝光像元结构与图像传感器，涉及图像传感器技术领域，该全局曝光像元结构包括：信号生成电路、第一存储电路、第二存储电路以及信号输出电路。信号生成电路生成复位电压与信号电压，第一存储电路存储信号电压，第二存储电路存储复位电压，信号输出电路输出复位电压与信号电压。在第一存储电路中的电容的容值与第二存储电路中电容的容值相等的情况下，全局曝光像元结构输出的有效电压近似为复位电压与信号电压的差，相较于传统方案，该全局曝光像元结构，不需增加MOS管就能够实现输出的有效电压增大一倍，有效提高了全局曝光像元结构的灵敏度，从而提高了信噪比。
天眼查资料显示，上海集成电路研发中心有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本30060万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路研发中心有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目293次，财产线索方面有商标信息96条，专利信息2099条，此外企业还拥有行政许可87个。
来源：金融界
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