武汉新芯申请半导体气泡缺陷检测方法专利，能极大提升检测效率_电池问答

武汉新芯申请半导体气泡缺陷检测方法专利，能极大提升检测效率

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2026-01-10 16:08:30

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国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构的气泡缺陷检测方法及半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN121304590A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构的气泡缺陷检测方法及半导体器件的制造方法，包括：检测待测半导体结构，以获得第一检测图像；建立图像坐标系，图像坐标系中具有标准半导体结构的每个标准芯片区的坐标；将第一检测图像映射于图像坐标系中，以根据第一检测图像和图像坐标系计算获得每个待测芯片区相对于对应的每个标准芯片区的偏移量，并将每个标准芯片区的坐标补偿偏移量后获得每个待测芯片区的坐标；根据每个待测芯片区的坐标，从第一检测图像中拆解得到各个待测芯片区的图像；识别各个待测芯片区的图像，以判断待测芯片区是否存在气泡缺陷。本发明的技术方案使得能够准确检测出待测半导体结构内是否存在气泡缺陷，还能极大提升检测效率。

天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目225次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1802条，此外企业还拥有行政许可106个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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