国家知识产权局信息显示,上海瞻芯电子科技股份有限公司申请一项名为“一种SiC超级结结构、SiC器件及其制作方法”的专利,公开号CN121335174A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本申请公开了一种SiC超级结结构、SiC器件及其制作方法。超级结结构包括第一P区,位于P区中间区域,第一P区中填充有高介电常数介质材料和其他氧化物的组合,高介电常数介质材料的分子构型中四面体结构对八面体结构的比例超过常规值,其中四面体结构含负电荷,八面体结构含正电荷;第二P区,位于第一P区的两侧,其主体材料与N区的材料相同,并且第二P区富含正电荷,正电荷受第一P区中四面体结构的负电荷吸引而聚集,第二P区的宽度由第一P区的四面体结构相对于八面体结构的净过剩电荷量和N区的掺杂浓度决定。本发明的优点在于,四面体结构的负电诱生效应使在保持超级结结构的宽度条件下有效提高耐压,从而减小器件尺寸,降低成本。
天眼查资料显示,上海瞻芯电子科技股份有限公司,成立于2017年,位于上海市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本7986.9299万人民币。通过天眼查大数据分析,上海瞻芯电子科技股份有限公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目2次,财产线索方面有商标信息32条,专利信息79条,此外企业还拥有行政许可4个。
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来源:市场资讯