华虹半导体申请晶圆的切边方法专利，降低了由于受力不均匀造成破损的几率
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2026-01-22 01:09:34
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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“晶圆的切边方法”的专利，公开号CN121358199A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请公开了一种晶圆的切边方法，包括：通过第一刀头进行切边处理，切入切边区域中承载晶圆的预定深度，在承载晶圆中形成凹槽切痕；通过第二刀头进行切边处理，去除切边区域的器件晶圆和承载晶圆，第二刀头的宽度大于第一刀头的宽度；其中，器件晶圆与承载晶圆键合且从俯视角度观察器件晶圆与承载晶圆的圆心重叠，切边区域是从承载晶圆的边缘沿其半径向内预定距离的环形区域，在切边区域内，器件晶圆和承载晶圆接触的表面之间存在间隙。本申请通过第一刀头预切边切断了具有空隙的边缘，因此在使用第二刀头切边的过程中器件晶圆不会受力，降低了由于受力不均匀造成破损的几率，提高了产品的良率和生产效率。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1982条，此外企业还拥有行政许可117个。
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来源：市场资讯
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