迈德迩半导体申请闪存芯片测试相关专利，提升闪存芯片测试智能性
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2025-07-02 19:10:18
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金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市迈德迩半导体有限公司申请一项名为“闪存芯片的测试方法、装置、系统、电子设备及存储介质”的专利，公开号CN120236649A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请实施例公开了一种闪存芯片的测试方法、装置、系统、电子设备及存储介质，应用于电子设备，所述电子设备包括闪存芯片，所述方法包括：确定所述闪存芯片的第一测试模式；获取与所述第一测试模式对应的参考测试环境参数和参考测试标准参数；确定所述闪存芯片的第一测试环境参数；确定所述参考测试环境参数与所述第一测试环境参数之间的第一偏离程度；根据所述第一偏离程度对所述参考测试标准参数进行调整，得到目标测试标准参数；根据所述目标测试标准参数和所述第一测试模式对所述闪存芯片进行测试。
天眼查资料显示，深圳市迈德迩半导体有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市迈德迩半导体有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息3条，专利信息13条，此外企业还拥有行政许可1个。
来源：金融界
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