重庆芯联微电子申请浅沟槽隔离结构的形成方法专利，降低CMP工艺的难度
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2026-01-29 03:09:57
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国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“浅沟槽隔离结构的形成方法”的专利，公开号CN121419616A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的形成方法，属于半导体技术领域，该浅沟槽隔离结构的形成方法，包括在衬底上形成第一停止层，刻蚀第一停止层和部分衬底，形成沟槽；在沟槽内和第一停止层上沉积绝缘材料，在绝缘材料上依次沉积第二停止层和牺牲层，且绝缘材料、第二停止层和牺牲层在沟槽处均具有凹陷；研磨减薄牺牲层，直至露出第二停止层，且第二停止层的凹陷处保留有部分的牺牲层；同步刻蚀第二停止层和牺牲层，直至完全去除第二停止层。通过在未被研磨的绝缘材料上再沉积停止层和牺牲层，先使用研磨工艺初步弥补晶圆表面膜层的高度差，再使用刻蚀工艺同步消耗剩余膜层，从而降低绝缘材料的高低差，降低CMP工艺的难度。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目935次，专利信息232条，此外企业还拥有行政许可12个。
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来源：市场资讯
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