芯三代半导体申请碳化硅外延生长设备及方法专利，外延片掺杂浓度均一性好_电池问答

芯三代半导体申请碳化硅外延生长设备及方法专利，外延片掺杂浓度均一性好

创始人

2026-03-03 12:17:22

0次

国家知识产权局信息显示，芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅外延生长设备及方法”的专利，公开号CN121593173A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本申请提供一种碳化硅外延生长设备及外延生长方法，该碳化硅外延生长设备，包括：外延生长模块、传输模块及气体供给系统，所述气体供给系统用于提供碳源气体、硅源气体、氮源气体、氢气、氯化氢气体或保护气体，氮源气体包括氨气；传输模块的传输装置用于将衬底或衬底连同托盘放入外延生长模块内或从外延生长模块内取出生长好的外延片，所述外延生长模块具有壳体，所述壳体内具有反应腔，壳体的顶部侧具有喷淋部件，喷淋部件包括复数透气孔，透气孔通过管道连接至气体供给系统，反应腔的底部侧具有支撑部，其用于放置收纳衬底的托盘，支撑部内设置有加热器，所述支撑部连接至驱动装置，生长的n型外延批次间一致性，外延片掺杂浓度均一性好。

天眼查资料显示，芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司，成立于2020年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6413.3399万人民币。通过天眼查大数据分析，芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息20条，专利信息111条，此外企业还拥有行政许可13个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业气体投资半导体设备外延模块碳化硅专利苏州衬底

上一篇：伟测半导体取得低成本晶圆测试方法专利

下一篇：河北冉鹏光电取得用于光电传感器生产的检测设备专利，达到对传感器不同位置进行检测的效果

芯三代半导体申请碳化硅外延生长设备及方法专利，外延片掺杂浓度均一性好

相关内容

热门资讯