长江存储申请半导体结构及其制备方法和存储系统专利，包括绝缘体上半导体结构、第一栅极结构和第二栅极结构_电池问答

长江存储申请半导体结构及其制备方法和存储系统专利，包括绝缘体上半导体结构、第一栅极结构和第二栅极结构

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2026-03-06 18:09:15

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、和存储系统”的专利，公开号CN121619900A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法和存储系统，其中，半导体结构包括绝缘体上半导体结构、第一栅极结构和第二栅极结构，绝缘体上半导体结构包括第一绝缘层、第一半导体层和鳍部；第一半导体层位于部分第一绝缘层沿第一方向的一侧；鳍部位于部分第一绝缘层沿第一方向的一侧并且位于第一半导体层沿与第一方向相交的方向的至少一侧；第一栅极结构位于第一半导体层背离第一绝缘层的一侧；第二栅极结构覆盖鳍部背离第一绝缘层的一侧的部分表面以及鳍部的部分侧壁。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1430次，财产线索方面有商标信息976条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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