英特尔申请用于具有全环绕栅极晶体管和二极管器件的背侧功率输送的绝缘体上硅集成专利，实现集成电路管芯中二极管与晶体管的集成
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2026-03-31 13:12:16
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国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“用于具有全环绕栅极晶体管和二极管器件的背侧功率输送的绝缘体上硅集成”的专利，公开号CN121751755A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，公开了用于具有全环绕栅极晶体管和二极管器件的背侧功率输送的绝缘体上硅集成。本文描述了涉及用于全环绕栅极场效应晶体管和二极管器件的绝缘体上硅(SOI)衬底集成的器件、晶体管结构、系统和技术。集成电路管芯包括：具有在SOI衬底的绝缘体层上的半导体层的二极管器件，以及集成的全环绕栅极场效应晶体管，其制造于半导体层中的阱内以形成纳米带，每个纳米带在半导体层的厚度内并且没有器件子鳍状物。
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来源：市场资讯
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