睿鑫伟申请残余电荷自动释放的静电卡盘专利，能提供晶圆残余电荷释放的路径
创始人
2026-06-03 10:20:36
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国家知识产权局信息显示，睿鑫伟（南京）半导体科技有限公司申请一项名为“一种残余电荷自动释放的静电卡盘”的专利，公开号CN122121619A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本发明公开了一种残余电荷自动释放的静电卡盘，属于半导体等离子体设备技术领域，主要包括上绝缘陶瓷层、电极层、导电陶瓷层、下绝缘陶瓷层；导电陶瓷层设置于上绝缘陶瓷层与下绝缘陶瓷层之间，导电陶瓷层的多个导电陶瓷柱穿经上绝缘陶瓷层和下绝缘陶瓷层；因此，当晶圆置于静电卡盘上，晶圆底面与上导电陶瓷柱接触，下导电陶瓷柱耦接至接地电极，当工艺完成后，该结构能提供晶圆残余电荷释放的路径；由于导电陶瓷层与上绝缘陶瓷层、电极层及下绝缘陶瓷层为一体叠合成型，其间为同质陶瓷材料结合，具有匹配度佳，结合稳定度佳等优点。
天眼查资料显示，睿鑫伟（南京）半导体科技有限公司，成立于2025年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4000万人民币。通过天眼查大数据分析，睿鑫伟（南京）半导体科技有限公司。
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来源：市场资讯
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