金瑞泓微电子申请直拉单晶硅位错无损检测方法专利，显著提升单晶材料利用率
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2026-07-11 23:04:23
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国家知识产权局信息显示，金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司申请一项名为“一种直拉单晶硅的位错无损检测方法”的专利，公开号CN122361457A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明公开了一种直拉单晶硅的位错无损检测方法，其步骤包括：从拉制完成的晶棒上截取薄硅片样品并进行表面预处理；在预处理后的样品表面生长单晶硅外延层，使衬底原生位错延伸至外延层表面形成可检测的滑移线缺陷；采用光散射型表面缺陷检测仪扫描并测量滑移线长度；依据预先建立的、适用于相同拉制工艺条件的滑移线长度与晶棒轴向切除高度之间的对应关系，确定待切除位错缺陷段的轴向位置并执行切除。针对现有化学腐蚀检测法存在的环境污染、检测准确度低及单晶材料利用率低的问题，本发明全程无需化学腐蚀，实现了对原生位错的环保、精准、高效无损检测，显著提升了单晶材料利用率，工业适配性强。
天眼查资料显示，金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司，成立于2018年，位于嘉兴市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本180000万人民币。通过天眼查大数据分析，金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目20次，专利信息19条，此外企业还拥有行政许可19个。
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来源：市场资讯
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