长鑫科技获得发明专利授权：“一种半导体结构及其制备方法”
创始人
2026-07-26 01:17:29
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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长鑫科技（688825）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202610049381.5，授权日为2026年7月24日。
专利摘要：本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构包括：衬底；沟道层，沟道层包括在衬底上堆叠的多个沟道子层；栅极层，栅极层至少部分环绕每一沟道子层；源/漏区，沿第一方向上，源/漏区位于沟道层的两侧，源/漏区至少包括第一子层和第二子层，第一子层包围第二子层的外侧壁，第一子层包含第一预设元素；其中，第一方向平行于衬底的平面，且沿远离沟道层的方向上，第一预设元素的含量逐渐降低。
今年以来长鑫科技新获得专利授权10个。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了95.93亿元，同比增108.22%。
通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1087次；财产线索方面有商标信息407条，专利信息706条，著作权信息23条；此外企业还拥有行政许可39个。
数据来源：天眼查APP
以上内容为证券之星据公开信息整理，不构成投资建议。
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