希力微电子申请一种超结器件结构及其制造方法专利，提供更低的比导通电阻
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2025-06-20 12:09:07
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金融界2025年6月20日消息，国家知识产权局信息显示，希力微电子（深圳）股份有限公司申请一项名为“一种超结器件结构及其制造方法”的专利，公开号CN120187081A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明涉及一种超结器件结构及其制造方法，其中，所述超结器件结构包括：衬底；在所述衬底上自下而上依次堆叠设置有第一超结结构层、第二超结结构层、…、第M超结结构层，其中，M为大于或等于2的整数；在所述第M超结结构层上设置有源极子结构；在所述衬底上设置有漏区；本发明采用多层超结结构层，能够控制每层超结结构层的刻蚀深度，且由于堆叠了多次超结结构层，能够增加超结器件结构的沟槽密度，因此能够提供更高的掺杂浓度，有利于降低电阻，优化超结器件结构性能，从而提供更低的比导通电阻。
天眼查资料显示，希力微电子（深圳）股份有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，希力微电子（深圳）股份有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息22条，专利信息12条，此外企业还拥有行政许可8个。
来源：金融界
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