中科微电子申请宽禁带半导体界面缺陷能级表征方法及系统专利,实现对缺陷能级位置、密度及空间分布的高精度、可视化表征
创始人
2026-08-22 12:54:29
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国家知识产权局信息显示,中科(合肥)微电子研究院有限公司申请一项名为“宽禁带半导体界面缺陷能级表征方法及系统”的专利,公开号CN122612673A,申请日期为2026年5月。

专利摘要显示,本发明涉及半导体器件测试技术领域,尤其涉及一种宽禁带半导体界面缺陷能级表征方法。该方法通过对器件施加多频率电容‑电压测试,获取电容响应数据集并计算界面态密度分布,进而确定缺陷能级位置与分布范围。将缺陷按频率特性划分为多个能级区间,生成以能级和界面深度为坐标的二维缺陷密度映射图。最终识别并量化图中峰值区域,提取主导缺陷能级的特征参数集。该方法实现了对宽禁带半导体栅极界面缺陷能级位置、密度及空间分布的高精度、可视化表征。

天眼查资料显示,中科(合肥)微电子研究院有限公司,成立于2024年,位于合肥市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本600万人民币。通过天眼查大数据分析,中科(合肥)微电子研究院有限公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目9次,专利信息18条,此外企业还拥有行政许可2个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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