华虹半导体申请MIM电容及其制造方法专利，能节约电容面积_电池问答

华虹半导体申请MIM电容及其制造方法专利，能节约电容面积

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2026-08-29 12:23:49

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国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“MIM电容及其制造方法”的专利，公开号CN122662218A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种MIM电容，电容主体结构包括：依次叠加的下极板、极板介质层和上极板。下极板形成于第一介质层的顶部表面上。下极板底部的底部金属互连图形中包括下极板连接图形。下极板通过穿过第一介质层的下极板通孔连接到下极板连接图形。第一顶部层间膜覆盖在电容主体结构并延伸到电容主体结构外。在第一顶部层间膜和第一介质层的叠加结构中形成有多个通孔，通孔包括位于上极板顶部的上极板通孔。在第一顶部层间膜的顶部的第二顶部层间膜中形成有顶部金属互连图形，顶部金属互连图形中包括上极板连接图形，上极板通孔的顶部和上极板连接图形接触。本发明能节约电容面积，提升电容密度，特别能适用于采用小像素lofic的CIS中。

天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目378次，专利信息263条，此外企业还拥有行政许可233个。

华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2951次，专利信息2126条，此外企业还拥有行政许可119个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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