三安半导体申请半导体器件以及功率器件专利，提升有源区域边缘电场一致性
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2026-09-02 10:24:56
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国家知识产权局信息显示，湖南三安半导体有限责任公司申请一项名为“半导体器件以及功率器件”的专利，公开号CN122680870A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明实施例提供半导体器件以及功率器件，所述半导体器件例如包括：半导体基底，包括：有源区域、终端区域、以及连接有源区域和终端区域的过渡区。过渡区具有在第一方向上相对设置的第一边和第二边，且面向有源区域的一侧具有沿第二方向间隔设置的多个凸起部，相邻两个凸起部之间形成凹陷，单个凸起部的外部轮廓与单个掺杂区的外部轮廓相匹配，凹陷的几何尺寸依赖相邻两个掺杂区之间的距离；以及，正面电极，设置在所述有源区域并与所述半导体基底形成电接触。通过提供过渡区并对过渡区的外部轮廓及相关尺寸进行适应性设计，实现对有源区域边缘至终端区域的过渡处理，其可以提升有源区域边缘电场一致性，进而可以提升器件性能。
天眼查资料显示，湖南三安半导体有限责任公司，成立于2020年，位于长沙市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南三安半导体有限责任公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目62次，专利信息471条，此外企业还拥有行政许可149个。
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来源：市场资讯
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