英诺赛科申请双向氮化镓BDGaN半桥功率模组及充电设备专利，降低了芯片成本
创始人
2026-09-05 11:56:08
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国家知识产权局信息显示，英诺赛科（珠海）科技有限公司申请一项名为“一种双向氮化镓BDGaN半桥功率模组及充电设备”的专利，公开号CN122697834A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请涉及器件结构技术领域，提供一种双向氮化镓BDGaN半桥功率模组及充电设备，BDGaN半桥功率模组包括半桥BDGaN单元、米勒钳位驱动单元和数字隔离单元，所述半桥BDGaN单元包括BDGaN功率管，所述半桥BDGaN单元的高压端用于连接高压母线；所述BDGaN功率管与所述米勒钳位驱动单元的第一端连接，所述米勒钳位驱动单元用于将所述BDGaN功率管的栅极电压钳位在安全电位；所述米勒钳位驱动单元的第二端与所述数字隔离单元的第一端连接，所述数字隔离单元的低压端与脉冲宽度调制PWM信号对应的供电电路连接。本申请实施例，以米勒钳位替代负压关断抑制米勒效应，简少了外围器件，降低了芯片成本。
天眼查资料显示，英诺赛科（珠海）科技有限公司，成立于2015年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本364000万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺赛科（珠海）科技有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息44条，专利信息292条，此外企业还拥有行政许可104个。
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来源：市场资讯
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