美光科技申请用于竖直三维存储器的双沟道存取装置专利，提供用于竖直三维存储器中的双沟道存取装置、双存储节点存储器单元的系统、方法及设备
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2025-07-11 14:38:47
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金融界2025年7月11日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“用于竖直三维存储器的双沟道存取装置”的专利，公开号CN120304025A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，提供用于竖直三维存储器中的双沟道存取装置、双存储节点存储器单元的系统、方法及设备。所述存储器单元具有水平定向存取装置，其具有由第一沟道区分离的第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。所述第一沟道由通过第一栅极介电质与所述第一沟道区分离的第一栅极致动。所述存取装置进一步包含由第二沟道区分离的第三源极/漏极区及第四源极/漏极区。所述第二沟道由通过第二栅极介电质与所述第二沟道区分离的第二栅极致动。所述第一及所述第二栅极连接。水平定向存储节点耦合到所述双沟道存取装置的所述第二及/或第四源极/漏极区。

来源：金融界

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