华虹半导体申请屏蔽栅沟槽型MOS器件外围终端结构专利，大幅提高屏蔽栅沟槽型MOS器件的耐压水平_电池问答

华虹半导体申请屏蔽栅沟槽型MOS器件外围终端结构专利，大幅提高屏蔽栅沟槽型MOS器件的耐压水平

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2025-07-12 11:38:34

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金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司、华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“屏蔽栅沟槽型MOS器件的外围终端结构”的专利，公开号CN120302699A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本申请提供一种屏蔽栅沟槽型MOS器件的外围终端结构，在外围终端区设置依次相连的多段终端沟槽，各段终端沟槽均呈圆弧状，两两相邻的终端沟槽的连接位置分别与源/漏引出沟槽的端部相连通，进一步的，该终端沟槽中淀积第一隔离层和第一多晶硅材料层，从而得到外围终端保护环。本申请通过将外围终端区的外围终端保护环设计成依次相连的圆弧状，并且与内部器件区中的部分源/漏引出结构相连通，这样可以优化边缘耗尽区的形貌，可以在同样工艺条件下，最大程度地拓宽内部SGT器件单元边缘耗尽区的宽度，从而大幅提高屏蔽栅沟槽型MOS器件的耐压水平，提高器件的抗击穿性能。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2926次，专利信息1710条，此外企业还拥有行政许可117个。

华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目373次，专利信息38条，此外企业还拥有行政许可226个。

来源：金融界

企业制造显示沟槽器件半导体终端无锡结构专利华虹槽型栅沟耗尽区

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