芯粤能申请功率器件及其制备方法、电子设备专利，实现高可靠性低高通电阻的沟槽栅MOSFET
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2025-07-15 14:38:26
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金融界2025年7月15日消息，国家知识产权局信息显示，广东芯粤能半导体有限公司申请一项名为“功率器件及其制备方法、电子设备”的专利，公开号CN120321980A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本申请涉及一种功率器件及其制备方法、电子设备，包括：衬底、外延层，以及位于外延层内经由第一表面，沿朝向衬底的第一方向依次排列的源区、基区、第一屏蔽区；第二屏蔽区，沿平行于第一表面的第二方向间隔排布，且沿第一方向贯穿第一屏蔽区至并延伸至外延层内；栅极，位于相邻第二屏蔽区之间，栅极沿第二方向间隔排列，且沿第一方向延伸至第一屏蔽区内；相邻栅极之间具有第一预设间距，且底面与第一屏蔽区的底面之间具有第二预设间距。全包围的结构沟槽底部栅氧电场小的特点，提出一种单位元胞内四通道的沟槽栅MOSFET设计，提高单位元胞内的沟道密度，实现高可靠性低高通电阻的沟槽栅MOSFET。
天眼查资料显示，广东芯粤能半导体有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45793.1035万人民币。通过天眼查大数据分析，广东芯粤能半导体有限公司参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息44条，此外企业还拥有行政许可99个。
来源：金融界
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