浙江晶越半导体取得高效率碳化硅单晶生长方法专利
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2025-07-15 16:09:14
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金融界2025年7月15日消息，国家知识产权局信息显示，浙江晶越半导体有限公司取得一项名为“一种高效率碳化硅单晶生长方法”的专利，授权公告号CN119900087B，申请日期为2025年04月。
天眼查资料显示，浙江晶越半导体有限公司，成立于2020年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20396.6571万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江晶越半导体有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息37条，此外企业还拥有行政许可4个。
来源：金融界
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