北方集成申请半导体结构及其形成方法专利，提高电容结构的垂直方向空间利用率
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2025-07-18 09:09:05
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金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120341210A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底中形成有若干第一金属层；刻蚀停止层，位于所述基底和第一金属层表面；若干底电极，位于所述刻蚀停止层表面贯穿所述刻蚀停止层分别电连接所述若干第一金属层；依次位于所述若干底电极顶面和侧壁的介质层和顶电极，每个底电极及其顶部和侧壁的介质层和顶电极构成一个电容器单元；第二层间介质层，位于所述刻蚀停止层上覆盖所述电容器单元和刻蚀停止层；第二金属层，位于所述第二层间介质层中同时电连接至少部分电容器单元的顶电极的部分侧壁或者同时电连接至少部分电容器单元的顶电极的部分侧壁和顶面。
天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息339条，此外企业还拥有行政许可123个。
来源：金融界
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