硅存储技术申请在擦除栅极线与虚设浮动栅极之间具有行方向间隙的存储器单元阵列专利，一种具有特定结构的存储器单元阵列
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2025-07-19 20:38:47
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金融界2025年7月19日消息，国家知识产权局信息显示，硅存储技术股份有限公司申请一项名为“在擦除栅极线与虚设浮动栅极之间具有行方向间隙的存储器单元阵列”的专利，公开号CN120345027A，申请日期为2023年02月。
专利摘要显示，一种存储器单元阵列，该存储器单元阵列具有存储器单元的行和列，其中这些存储器单元中的相应存储器单元包括：形成于半导体衬底中的间隔开的源极区和漏极区，其中沟道区在该源极区与该漏极区之间延伸；该沟道区的第一部分上方的浮动栅极；该沟道区的第二部分上方的选择栅极；和该源极区上方的擦除栅极。带区设置在第一多个列与第二多个列之间。针对一个存储器单元行，虚设浮动栅极设置在该带区中，擦除栅极线将该一行中和该第一多个列中的这些存储器单元的这些擦除栅极电连接在一起，其中该擦除栅极线与该虚设浮动栅极对准，在该擦除栅极线与该虚设浮动栅极之间具有行方向间隙。
来源：金融界
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