海威华芯取得平面型氧化镓MOSFET器件专利提升器件栅、漏崩溃电压_电池知识

海威华芯取得平面型氧化镓MOSFET器件专利提升器件栅、漏崩溃电压

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2025-06-18 13:38:06

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金融界2025年6月18日消息，国家知识产权局信息显示，成都海威华芯科技有限公司取得一项名为“一种平面型氧化镓MOSFET器件”的专利，授权公告号CN222996954U，申请日期为2024年08月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种平面型氧化镓MOSFET器件，属于半导体技术领域，包括基板以及设在基板上的氧化镓外延层；所述氧化镓外延层上设有N型硅离子注入区域、源漏极金属、栅极刻蚀区域、栅极金属接触层、源漏栅极第一通孔层、栅场板金属层、源漏栅极第二通孔层、薄膜电阻层、第一连接金属层、源漏栅极第三通孔层、源漏栅极第四通孔层以及第二连接金属层；其中，所述栅场板金属层设置在所述栅极金属接触层上方，并通过所述源漏栅极第一通孔层连接。该器件采用超宽禁带半导体材料氧化镓做外延结构,对于高功率器件的崩溃电压有显着的提升,同时在所述栅极金属接触层上方设置栅场板金属层，拉近栅极和源极的距离，降低栅极和漏极之间的电场峰值，达到提升器件栅、漏崩溃电压的效果。

天眼查资料显示，成都海威华芯科技有限公司，成立于2010年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本195778.86万人民币。通过天眼查大数据分析，成都海威华芯科技有限公司参与招投标项目106次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息372条，此外企业还拥有行政许可44个。

来源：金融界

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