成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利，提供一种半导体元件的形成方法
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2025-06-18 14:38:14
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金融界2025年6月18日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利，公开号CN120164841A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体元件的形成方法和半导体元件，其中的方法包括：步骤S10，提供硅衬底，并在硅衬底的顶面上形成堆叠结构；步骤S20，通过STI刻蚀工艺依次刻蚀堆叠结构和硅衬底，以形成沿水平方向间隔设置的用作隔离区域的第一沟槽；步骤S40，通过HARP工艺在硅衬底上沉积第一氧化材料，直至第一氧化材料填满第一沟槽；以及步骤S50，通过HDP工艺在第一氧化材料上沉积第二氧化材料，第二氧化材料的沉积厚度使得在通过CMP工艺抛光隔离区域和堆叠结构后，隔离区域的顶面和堆叠结构的顶面平齐。
天眼查资料显示，成都紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都紫光半导体科技有限公司专利信息50条。
来源：金融界
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