华虹集成电路申请半导体器件及其制备方法专利，提升器件性能
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2026-06-24 21:13:48
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国家知识产权局信息显示，华虹集成电路（成都）有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN122269744A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有第一栅极结构；形成硬掩模层以形成第一侧墙层，以及形成凹槽；在凹槽中形成填充层，填充层高出半导体衬底的部分与第一侧墙层之间存在缝隙；形成第二侧墙材料，第二侧墙材料填充缝隙，第二侧墙材料的材料为氧化硅；去除部分厚度的第二侧墙材料；形成第三侧墙材料，覆盖第二侧墙材料，第三侧墙材料的材料为氮化硅，刻蚀第二侧墙材料和第三侧墙材料，形成第二侧墙层和第三侧墙层。如此，将电介质常数较小的侧墙材料填充到填充层与栅极侧墙之间的缝隙中，以减小栅极-接触孔（CGC）的电容值，提升器件性能。
天眼查资料显示，华虹集成电路（成都）有限公司，成立于2023年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2280000万人民币。通过天眼查大数据分析，华虹集成电路（成都）有限公司参与招投标项目147次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息61条，此外企业还拥有行政许可129个。
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来源：市场资讯
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