鑫华半导体申请碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件专利，该碳化硅外延片质量较高_电池知识

鑫华半导体申请碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件专利，该碳化硅外延片质量较高

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2025-08-01 22:15:43

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金融界2025年8月1日消息，国家知识产权局信息显示，江苏鑫华半导体科技股份有限公司申请一项名为“碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件”的专利，公开号CN120400988A，申请日期为2025年07月。

专利摘要显示，本申请属于半导体技术领域，公开了碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件，包括：于第一腔体在碳化硅衬底的一侧表面生长第一外延层；于第二腔体在第一外延层远离碳化硅衬底的一侧表面生长第二外延层；于第二腔体在第二外延层远离第一外延层的一侧表面生长第三外延层；于第一腔体在第三外延层远离第二外延层的一侧表面生长第四外延层；于第二腔体在第四外延层远离第三外延层的一侧表面生长第五外延层，以得到所述碳化硅外延片；其中，第一外延层、第四外延层为N型层，第二外延层、第三外延层、第五外延层为P型层。由此，该碳化硅外延片的质量较高，缺陷密度和表面粗糙度较低，将其应用于超高压功率器件有利于提高器件的性能和良率。

天眼查资料显示，江苏鑫华半导体科技股份有限公司，成立于2015年，位于徐州市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本148571.4288万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏鑫华半导体科技股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目120次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息197条，此外企业还拥有行政许可51个。

来源：金融界

企业方法显示鑫华信息半导体外延表面碳化硅专利腔体器件延片

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