鑫耀半导体等申请一种磷化铟外延片返抛的加工方法专利，降低了客户端成本_电池知识

鑫耀半导体等申请一种磷化铟外延片返抛的加工方法专利，降低了客户端成本

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2025-08-04 11:44:54

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金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，云南鑫耀半导体材料有限公司、云南中科鑫圆晶体材料有限公司申请一项名为“一种磷化铟外延片返抛的加工方法”的专利，公开号CN120401021A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明公开了一种磷化铟外延片返抛的加工方法，包括以下步骤：一次腐蚀；背面研磨；二次腐蚀；厚度测量，分组上盘；化学机械抛光；卸片去蜡；冲洗甩干；得到新表面质量的磷化铟晶片。本发明提供的加工方法经过腐蚀、研磨、化学机械抛光结合起来，去除了外延结构，恢复了磷化铟外延片的表面质量以及较好的平整度参数，得到了一个全新的加工完衬底所具备的表面质量，可以进行二次利用提高了磷化铟外延片的再次使用次数。填补了之前外延片的再次加工工艺空缺，同时也解决了之前一次使用不合格报废造成的浪费以及提高了客户的工艺的利用效率。降低了客户端成本，达到了晶片的重复利用。

天眼查资料显示，云南鑫耀半导体材料有限公司，成立于2013年，位于昆明市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本48152.159292万人民币。通过天眼查大数据分析，云南鑫耀半导体材料有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目21次，专利信息80条，此外企业还拥有行政许可11个。

云南中科鑫圆晶体材料有限公司，成立于2008年，位于昆明市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本22645.804万人民币。通过天眼查大数据分析，云南中科鑫圆晶体材料有限公司参与招投标项目19次，专利信息75条，此外企业还拥有行政许可12个。

来源：金融界

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